LED灯珠的发展趋势

用1x1 mm2的大尺度芯片替代现有的0.3 x0.3 mm2的小芯片封装，在芯片注入电流密度不能大幅度进步的情况下，是一种首要的技术发展趋势。

处理电极挡光和蓝宝石不良散热问题，从蓝宝石衬底面出光。在p电极上做上厚层的银反射器，然后颠末电极凸点与基座上的凸点键合。基座用散热杰出的Si材料制得，并在上面做好防静电电路。依据美国Lumileds公司的成果，芯片倒装约增加出光功率1.6倍。芯片散热才能也得到大幅改善，选用倒装技术后的大功率发光二极管的热阻可低到12～15℃/W。

这是一种平价而有用的制造功率LED的方法。首要是选用金属与金属或许金属与硅片的键合技术，选用导热杰出的硅片替代原有的GaAs或蓝宝石衬底，金属键合型LED具有较强的热耗散才能。

UV LED配上三色荧光粉供给了另一个方向，白光色温稳定性较好，使其在许多高品质需求的运用场合（如节能台灯）中得到运用。这样的技术虽然有种种的长处，但仍有适当的技术难度，这些艰难包罗合作荧光粉紫外光波长的挑选、UV LED制造的难度及抗UVLED封装材料的开发等等。

荧光粉质量和涂敷工艺是保证白光LED质量的要素。荧光粉的技术发展趋势是开发纳米晶体荧光粉、外表包覆荧光粉技术，在涂布工艺方面发展荧光粉均匀的荧光板技术，将荧光粉与封装材料混合技术。

6）开发新的LED封装材料

开发新的安装在LED芯片的底板上的高导热率的材料，然后使LED芯片的任务电流密度约进步5～10倍。就当前的趋势看来，金属基座材料的挑选首要是以高热传导系数的材料为组成，如铝、铜乃至陶瓷材料等，但这些材料与芯片间的热膨胀系数差异甚大，若将其直接触摸很可能由于在温度升高时材料间发生的应力而形成可靠性的问题，所以普通都会在材料间加上兼具传导系数及膨胀系数的中心材料作为距离。

本来的LED有许多光线因折射而无法从LED芯片中照耀到外部，而新开发的LED在芯片外表涂了一层折射率处于空气和LED芯片之间的硅类通明树脂，并且颠末使通明树脂外表带有必定的视点，然后使得光线可以高效照耀出来，此举可将发光功率大约进步到了原产物的2倍。

当前关于传统的环氧树脂其热阻高，抗紫外老化功能差，研制高透过率，耐热，高热导率，耐UV和日光辐射及抗潮的封装树脂也是一个趋势。

在焊料方面，要习惯环保恳求，开发无铅低熔点焊料，并且进一步开发有更高导热系数和对LED芯片应力小的焊料是另一个重要的课题。

将宣布红、蓝、绿三种色彩的芯片，直接封装在一起配成白光的方法，可制成白光发光二极管。其长处是不需颠末荧光粉的变换，藉由三色晶粒直接配成白光，除了可防止由于荧光粉变换的丢失而得到较佳的发光功率外，更可以藉由分隔操控三色发光二极管的光强度，达到全彩的变色作用(可变色温)，并可藉由芯片波长及强度的挑选得到较佳的演色性。运用多芯片RGBLED封装式的发光二极管，很有时机成为替代当前运用CCFL的LCD背光模块中背光源的首要光源之一。

当前大尺度芯片封装还存在发光的均匀和散热等问题亟待处理。选用惯例芯片进行高密度组合封装的功率型LED可以取得较高发光通量，是一种切实可行很有推行远景的功率型LED固体光源。小芯片工艺相对老练，各种高热导绝缘夹层的铝基板便于芯片集成和散热。

平面模块化封装是另一个发展方向，这种LED封装的长处是由模块组成光源，其形状，巨细具有很大的灵活性，十分适合于室内光源描绘，芯片之间的级联和通断维护是一个难点。大尺度芯片集成是取得更大功率LED的可行方法，倒装芯片布局的集成，长处或许更多一些。